深圳丰芯通电子有限公司

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供应电机驱动STGF19NC60HD芯片
供应电机驱动STGF19NC60HD芯片
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供应电机驱动STGF19NC60HD芯片

型号/规格:

STGF19NC60HD

品牌/商标:

ST

封装:

TO220F

批号:

18+

数量:

2500

产品信息

参数列表
搜索代替器件
技术参数
额定电压(DC)
600 V
额定电流
9.00 A
针脚数
3
极性
N-Channel
耗散功率
35 W
栅电荷
53.0 nC
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
16.0 A
上升时间
7.00 ns
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
反向恢复时间
31 ns
额定功率(Max)
32 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
32 W
封装参数
安装方式
Through Hole
引脚数
3
封装
TO-220-3
外形尺寸
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
16.4 mm
封装
TO-220-3
物理参数
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
制造应用
Power Management, 电机驱动与控制, 电源管理, Motor Drive & Control
符合标准
RoHS标准
RoHS Compliant
含铅标准
Lead Free
REACH SVHC标准
No SVHC
REACH SVHC版本
2015/12/17
海关信息
ECCN代码
EAR99
产品概述

STMICROELECTRONICS  STGF19NC60HD  单晶体管, IGBT, 16 A, 2.5 V, 35 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚

IGBT 分立,STMicroelectronics

### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics

绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。